一种红外光敏三极管芯片

摘要

本发明涉及一种红外光敏三极管芯片，包括背金层、外延片、基区、发射区、氧化层、氮化硅膜和发射极；背金层形成的集电极由内至外包括Ti、Ni、Ag、Sn；外延片的型号为N，外延片包括覆盖在背金层上的外延衬底和外延层，外延层的厚度为30‑40μm，电阻率为10‑16Ω·cm，外延衬底为N型CZ硅单晶，外延衬底电阻率为0.005‑0.015Ω·cm，基区由硼注入工艺形成在外延衬底上，发射区在基区内光刻、刻蚀、磷预淀积、氧化、扩散形成；氧化层由SiO2形成，覆盖在外延层上，氧化层的厚度为