增大自对准镍硅化物面积的方法及使用该方法制造的器件

摘要

本发明公开了一种增大自对准镍硅化物面积的方法，包括以下步骤：步骤一，在半导体衬底表面形成栅极膜组及侧墙层，并用湿法刻蚀减薄外层侧墙；步骤二，在栅极模组及侧墙层的外表面形成第一硬掩模层；步骤三，以光刻方式定义需要自对准生成镍硅化物区域；步骤四，以干刻结合湿法工艺去除第一硬掩模层；步骤五，进行镍硅化物的自对准生成。本发明可在一定程度上扩大镍硅化物形成的面积，从而提高电性及其他相关性能。