首页> 中国专利> 一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜及其制备方法

一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜及其制备方法

摘要

本发明提供了一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜及应用、全固态锂金属电池及其制备方法,属于电池材料领域。本发明提供的缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜的导锂通道从单一的LAGP陶瓷导锂转向聚合物与LAGP双向同时导锂,提升了锂离子扩散速率,减少了电解质与锂金属的副反应,稳定锂金属与电解质界面反应,防止枝晶生长连接正负极造成短路,防止锂枝晶刺穿隔膜引起短路,提升了电池的容量保持效率,延长了电池的循环寿命,且在不同使用温度下仍能保持稳定的性能,同时,缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜的厚度可依照需求调节。

著录项

  • 公开/公告号CN110590176A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-12-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 合肥工业大学;

    申请/专利号CN201910808634.2

  • 申请日2019-08-29

  • 分类号

  • 代理机构石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王占华

  • 地址 230000 安徽省合肥市屯溪路193号合肥工业大学材料学院

  • 入库时间 2024-02-19 15:44:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):C03C17/34 申请日:20190829

    实质审查的生效

  • 2019-12-20

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号