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快速原型开发设备和快速原型开发方法

摘要

本发明涉及一种方法和设备,其用于照射至少一种快速原型开发介质(RPM),其中,所述照射由至少两束投射到所述快速原型开发介质(RPM)上的联立的独立调制光束(IMLB)来完成,且所述快速原型开发介质由具有至少两个不同波长内容(WLC1,WLC2)的光束(IMLB)来照射。

著录项

  • 公开/公告号CN101180174B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-08-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 亨斯迈先进材料(瑞士)有限公司;

    申请/专利号CN200680017570.5

  • 发明设计人 H·亨宁森;

    申请日2006-05-19

  • 分类号B29C67/00(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人曾祥夌;廖凌玲

  • 地址 瑞士巴塞尔

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-07-16

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B29C 67/00 授权公告日:20120808 终止日期:20130519 申请日:20060519

    专利权的终止

  • 2012-08-08

    授权

    授权

  • 2008-07-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-05-14

    公开

    公开

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