一种金属硅化物的表征方法

摘要

本发明涉及一种金属硅化物的表征方法和表征装置，该表征方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括硅衬底、金属栅极层以及形成于该金属栅极层与该硅衬底之间的金属硅化物；生成该半导体结构的电子能量损失谱；根据该电子能量损失谱，生成不同能量损失位置和能量宽度下的该硅衬底的等离子体峰的强度与该金属硅化物的等离子体峰的强度的第一比值曲线、该金属栅极层的等离子体峰的强度与该金属硅化物的等离子体峰的强度的第二比值曲线；根据该第一比值曲线和该第二比值曲线，选取相应的能量损失位置和能量宽度作为检测参数；使用该检测参数对该半导体结构进行能量过滤透射电子显微镜检测，以表征该金属硅化物的表面形貌和分布情况。