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一种高室温离子电导率钠离子导体及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高室温离子电导率钠离子导体及其制备方法。该方法采用了固相烧结技术,通过调整钠源添加比例可制备晶态与非晶态过渡金属硅酸盐。制得的过渡金属硅酸盐的化学式为Na2‑2xMSiO4‑x,其中M为过渡金属Fe、Cr、Mn、Co、V或Ni,当0<x≤0.5时,制得的过渡金属硅酸盐为结晶态,结晶度随着x增大而降低;当0.5<x<1时,过渡金属硅酸盐呈现为非晶态。本发明制得的过渡金属硅酸盐材料应用于钠离子电池作为固态电解质,无论其为晶态或是非晶态,均具有高室温离子电导率、对空气稳定、对金属钠稳定的优点;同时,过渡金属硅酸盐中储量丰富的Na‑Si‑O元素体系,适合用于低成本高性能且安全的钠离子电池大规模开发与应用。

著录项

  • 公开/公告号CN110615675A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-12-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN201910858906.X

  • 发明设计人 姜银珠;关文浩;

    申请日2019-09-11

  • 分类号C04B35/16(20060101);C04B35/622(20060101);H01M10/054(20100101);H01M10/0562(20100101);

  • 代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人万尾甜;韩介梅

  • 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

  • 入库时间 2024-02-19 15:16:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/16 申请日:20190911

    实质审查的生效

  • 2019-12-27

    公开

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