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使用硅碳化物晶种来生产大块硅碳化物的方法和器具

摘要

本发明涉及使用硅碳化物晶种来生产大块硅碳化物的方法和器具。具体地,本文公开一种生产硅碳化物的方法。本方法包括以下步骤:提供升华炉,其包括炉壳、至少一个位于炉壳外侧的加热元件、和位于炉壳内且由绝热体包围的热区。该热区包括具有位于下区域的硅碳化物晶种前驱物、和位于上区域的硅碳化物晶种。该热区被加热以升华该硅碳化物前驱物而形成硅碳化物于该硅碳化物晶种的底面上。此外,也公开用以生产该硅碳化物的该升华炉以及产生的硅碳化物材料。

著录项

  • 公开/公告号CN110578172A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-12-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GTAT公司;

    申请/专利号CN201910876001.5

  • 申请日2014-09-05

  • 分类号C30B29/36(20060101);C30B23/00(20060101);

  • 代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟;李兵霞

  • 地址 美国新罕布什尔州

  • 入库时间 2024-02-19 15:16:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/36 申请日:20140905

    实质审查的生效

  • 2019-12-17

    公开

    公开

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