能降低米勒电容的沟槽型IGBT器件

摘要

本发明涉及一种能降低米勒电容的沟槽型IGBT器件，其通过浮空第二导电类型区能提高IGBT发射极侧的载流子浓度，浮空第二导电类型区结深大于元胞沟槽的深度，浮空第二导电类型区还包覆元胞沟槽的部分底部，降低元胞沟槽角落处的电场，从而提高IGBT器件的耐压。在浮空第二导电类型区内设置一个或多个浮空区沟槽，浮空区沟槽的深度小于所述浮空第二导电类型区的结深，浮空区沟槽的宽度不小于元胞沟槽的宽度，浮空区沟槽内的浮空沟槽多晶硅与发射极金属欧姆接触，从而屏蔽元胞栅极多晶硅的电压变化，有效地降低了米勒电容Cgc，从而达到提高器件开通速度，降低开通损耗的目的。