一种电化学氧化法制备单层多孔羟基氧化钴纳米片的方法

摘要

本发明涉及电化学领域，尤其是一种电化学氧化法制备单层多孔羟基氧化钴纳米片的方法。将经分散剂分散的钴盐于水热釜中150‑220℃下反应3～24h，反应后降至室温，将悬浊液离心获得沉淀，沉淀经有机溶剂反复洗涤，所得沉淀干燥再将其于碱性溶液的电解液中，恒电流密度下电催化氧化即可得到单层多孔羟基氧化钴纳米片。本发明具有反应条件温和、工艺流程简单、能耗低、可规模化生产等优点，所得产品具有孔径分布窄、孔隙率高、比表面积大、批次间重复性好等优势，有望在锂离子电池、超级电容器以及电催化等领域得到广泛应用。