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一种CPU单Data线与双DDR内存连接结构及控制Data线的分支线等长的方法

摘要

本发明提出一种CPU单Data线与双DDR内存连接结构,所述CPU单Data线与双DDR内存连接结构包括:第一内存模块、第二内存模块、中央处理器模块和Data线;所述Data线一端与所述中央处理器模块电连接,所述Data线的另一端设有与所述Data线电连接的第一分支线和第二分支线,所述第一分支线远离所述Data线的一端与所述第一内存模块电连接,所述第二分支线远离所述Data线的一端与所述第二内存模块电连接;本发明提出的CPU单Data线与双DDR内存连接结构的第二分支线与第一分支线的长度相等或者长度差在1mm内,从而使信号初始延迟大大降低以此来提高DDR内存的频率。

著录项

  • 公开/公告号CN110377557A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-10-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 晶晨半导体(深圳)有限公司;

    申请/专利号CN201910664675.9

  • 发明设计人 尹秋峰;韩小江;张坤;

    申请日2019-07-23

  • 分类号

  • 代理机构深圳市智胜联合知识产权代理有限公司;

  • 代理人李永华

  • 地址 518054 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)

  • 入库时间 2024-02-19 14:53:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F15/78 申请日:20190723

    实质审查的生效

  • 2019-10-25

    公开

    公开

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