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一种等离子体增强型溶液燃烧法制备的薄膜晶体管及方法

摘要

本发明公开了一种等离子体增强型溶液燃烧法制备的薄膜晶体管及方法,包括绝缘衬底,栅电极,溶液燃烧法制备的栅极绝缘层,金属氧化物半导体层,源电极和漏电极;绝缘衬底上依次设置有栅电极,溶液燃烧法制备的栅极绝缘层,金属氧化物半导体层;金属氧化物半导体层上设置有源电极和漏电极;具体步骤包括:a)绝缘衬底的清洗处理;b)制备栅电极;c)表面处理;d)溶液燃烧法制备栅极绝缘层;e)等离子体处理栅极绝缘层;f)制备金属氧化物半导体层;g)源电极和漏电极的制备。本发明提供了一种成本低廉,工艺简单环保,产品性能优越的金属氧化物薄膜晶体管(MOTFT)的制备方法。

著录项

  • 公开/公告号CN110400837A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西交利物浦大学;

    申请/专利号CN201910559729.5

  • 发明设计人 刘启晗;赵春;赵策洲;杨莉;

    申请日2019-06-26

  • 分类号H01L29/41(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/786(20060101);

  • 代理机构32103 苏州创元专利商标事务所有限公司;

  • 代理人范晴;吴音

  • 地址 215000 江苏省苏州市工业园区仁爱路111号

  • 入库时间 2024-02-19 14:35:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/41 申请日:20190626

    实质审查的生效

  • 2019-11-01

    公开

    公开

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