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铟氮化镓多量子阱发光二极管

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本发明公开了一种铟氮化镓多量子阱发光二极管，包括：衬底，在衬底表面形成的N型掺杂的氮化镓层，在N型掺杂的氮化镓层表面形成的铟氮化镓/氮化镓多量子阱发光层，在铟氮化镓/氮化镓多量子阱发光层表面形成的电子阻挡层，在电子阻挡层表面形成的P型掺杂的氮化镓层；还包括设于P型掺杂的氮化镓层表面的第一电极和设于N型掺杂的氮化镓层表面的第二电极；电子阻挡层包括P型掺杂的In

著录项

公开/公告号CN110400863A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-01

原文格式PDF
申请/专利权人上海垒芯半导体科技有限公司;
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申请/专利号CN201810374672.7
发明设计人杨猛;
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申请日2018-04-24
分类号
代理机构上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人邓文武
地址 200240 上海市闵行区东川路555号乙楼1004室
入库时间 2024-02-19 14:30:36

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-01-17

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/14 申请日:20180424

实质审查的生效
2019-11-01

公开

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