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用于实现高温处理而没有腔室漂移的方法

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本公开内容的实现方式提供用于在处理腔室中处理基板的方法。在一个实现方式中，所述方法包括：(a)在第一腔室压力下使用第一高频RF功率在第一基板上沉积介电层；(b)在第二腔室压力下在所述第一基板之后的N个基板上顺序地沉积介电层，其中N是5至10的整数，并且其中沉积N个基板中的每个基板包括使用第二高频RF功率，所述第二高频RF功率具有比所述第一高频RF功率的功率密度低约0.21W/cm

著录项

公开/公告号CN110140193A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-16

原文格式PDF
申请/专利权人应用材料公司;
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申请/专利号CN201780082344.3
发明设计人 M·W·蒋;P·P·杰哈;D·帕德希;
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申请日2017-12-18
分类号
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人侯颖媖
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 14:30:36

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-01-10

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20171218

实质审查的生效
2019-08-16

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