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公开/公告号CN110310919A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-08
原文格式PDF
申请/专利权人 朗姆研究公司;
申请/专利号CN201910418672.7
发明设计人 拉什纳·胡马雍;苏达哈·曼安达哈;迈克尔·丹克;
申请日2014-12-29
分类号
代理机构上海胜康律师事务所;
代理人樊英如
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 14:12:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20141229
实质审查的生效
2019-10-08
公开
机译: 钨核化工艺可实现低电阻率钨填充
机译: 使用脉冲成核层技术增加沉积在基质上的低电阻率钨/钨氮化物层的粘附力的方法
机译:先进的脉冲成核层和低电阻率钨处理降低了钨的接触和线电阻
机译:钨薄膜的脉冲CVD作为钨填充的成核层
机译:使用脉冲氮化钨成核层填充触点
机译:PNL〜(TM)低电阻率钨用于接触填充
机译:使用PVD两步氮化钛阻挡层工艺的优势,以及由于钨膜的不均匀性,钨膜沉积产生的残留副产物对工艺集成的影响。
机译:在超嗜热古生火球菌中钨和钨不能替代三种钨酶的催化活性形式的钨。
机译:通过钨惰性气体焊接工艺实现不同的加入A6061铝合金和SUS304不锈钢
机译:具有/ 110 /钨发射极和铌集电极的热离子转换器的性能特征表面上含有痕量的钨和碳化铌