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一种基于RSD的去磁开关高效脉冲功率发生电路

摘要

本发明公开一种基于RSD的去磁开关高效脉冲功率发生电路,可以用于高功率微波、核物理技术、污染净化等领域。传统RSD脉冲功率发生电路需要使用磁开关来配合RSD的开通,但是磁开关的体积很大,这容易导致传统RSD脉冲功率发生电路的体积过大。同时,在触发RSD时,传统RSD脉冲功率发生电路需要消耗的能量也不可以被忽略。在不使用磁开关的情况下,本发明使用另一种半导体开关器件RBDT来辅助RSD,以防止触发RSD时流过的电流数值过大损坏RSD。由于RBDT体积非常小,本发明的体积可以显著的减小。为了减小脉冲功率发生电路的能量损耗,在触发RSD时,本发明利用电感储存触发RSD时电容释放的能量,最后,电感释放储存的能量用于形成负载电流脉冲。

著录项

  • 公开/公告号CN110138360A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN201910401663.7

  • 发明设计人 梁琳;皮意成;颜小雪;

    申请日2019-05-14

  • 分类号H03K3/02(20060101);H03K17/12(20060101);

  • 代理机构42201 华中科技大学专利中心;

  • 代理人廖盈春;曹葆青

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2024-02-19 14:12:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K3/02 申请日:20190514

    实质审查的生效

  • 2019-08-16

    公开

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