一种Al1-xInxN三元合金纳米晶薄膜及其制备方法

摘要

一种Al1‑xInxN三元合金纳米晶薄膜及其制备方法，属于三族氮化物光电子信息功能材料与器件领域。该薄膜具有平整光滑的表面形貌，粗糙度为2～3nm，可调组分在0≤x≤0.92，厚度为1.8～6.38μm。其制备方法为：将衬底基片设置在Al靶材正上方，在Al靶材上表面设置有若干个金属In块，采用直流辉光清洗衬底基片；抽真空并烘烤去除射频磁控溅射装置腔室水分，调节氩气流量为50～60sccm，氮气的流量为30～40sccm，在0.8～1.2Pa，维持5～8min，将衬底基片以10～15圈/min进行旋转，进行溅射1.5～3h，得到Al1‑xInxN三元合金纳米晶薄膜。该方法具有成本低、调控试验参数少、易控制和可靠性强等特点，有利于大规模推广应用。