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公开/公告号CN110309908A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-08
原文格式PDF
申请/专利权人 北京大学;
申请/专利号CN201910500408.8
发明设计人 黄如;陈诚;刘姝涵;黄芊芊;
申请日2019-06-11
分类号G06N3/04(20060101);G06N3/063(20060101);H03K19/0948(20060101);
代理机构11360 北京万象新悦知识产权代理有限公司;
代理人贾晓玲
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2024-02-19 14:07:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-01
实质审查的生效 IPC(主分类):G06N3/04 申请日:20190611
实质审查的生效
2019-10-08
公开
机译: 具有铁电场效应晶体管的突触神经元设备的突触阵列及其操作方法
机译: 在深度学习人工神经网络中将神经元电流转换为模拟神经存储器中基于神经元时间的时间脉冲的系统
机译:基于图案化聚酰亚胺/聚二甲基硅氧烷混合衬底的基于InGaZnO的可拉伸铁电存储晶体管
机译:铁电介电混合缓冲层,用于增强有机铁电存储器晶体管的电气性能
机译:灰度图像识别使用基于Spike率的在线学习和薄膜晶体管式中神经元的阈值调整,或者在薄膜晶体管型和闪存阵列中的神经元
机译:铁电栅极晶体管中基于HfO_2的铁电薄膜的期望和问题
机译:通过脉冲激光沉积开发基于ZnO的薄膜晶体管和掺磷的ZnO和(Zn,Mg)O。
机译:基于纳米模式石墨烯铁电场效应晶体管的膜晶体管
机译:基于铁电晶体管的神经网络加速器混合精密突触的基准
机译:基于铁电陶瓷纵向冲击波去极化的紧凑型爆炸驱动高压一次电源对电容器组的脉冲充电。