一种基于光辅助写入的磁随机存储器

摘要

本发明公开了一种基于光辅助写入的磁随机存储器，属于计算机存储技术领域。本发明为磁存储写入信息的方式提供了一种新的思路，即通过利用超短激光脉冲实现磁随机存储器中MTJ自由层磁化方向的改变，同时施加写电流完成信息的写入，其不再通过写电流来实现磁化方向的反转，从而避免了随着工艺尺寸的缩小而使的自由层的磁化状态翻转所需要的电流减小，该值与读电流越来越相近，使得读电流也可能使自由层的磁化状态翻转，造成写入错误率增加的问题；同时，由于不再通过电流大小实现磁化方向的反转，使得在利用超短激光脉冲实现MTJ自由层磁化方向的反转后，只需施加微小写电流即可实现信息的写入，降低了写入功率。