一种新型三元化合物InGeTe3单晶的二维超薄材料及其制备方法

摘要

本发明提供了一种新型三元化合物InGeTe3单晶的二维超薄材料及其制备方法，首先将In、Ge以及Te三种纯元素按照化学计量比进行混合后封入石英管，利用真空封管烧结技术制得InGeTe3单晶，然后用思高胶带反复撕粘至思高胶带表面无明显起伏，再用热缓释胶带作为转移介质，将单晶转移到其上，再将热缓释胶带上的InGeTe3单晶转移到硅片上，最后利用思高胶带对硅片上的InGeTe3单晶反复撕粘多次，使其减薄，以得到InGeTe3单晶的二维超薄材料。本发明根据热缓释胶带在一定温度下黏性消失的特性，可实现高效率，高产量的转移，保证了转移到硅片上的单晶数量和尺寸适中，为后续在硅片上的再次剥离以得到产率相对较高的超薄少层二维材料提供了保障。