一种分析重离子造成GaN HEMT器件潜径迹损伤的方法

摘要

本发明公开了一种分析重离子造成GaN HEMT器件潜径迹损伤的方法，利用SRIM计算重离子在GaN材料中的能量损失参数并获得其造成的潜径迹图，可以准确、快速、便捷的实现分析重离子造成GaN HEMT器件潜径迹损伤的效果，从而为降低空间中高能重离子辐照对GaN HEMT器件的影响提供研究基础。