具有沟槽栅极结构和台面区段的顶部部分中的源极区域的碳化硅半导体器件

摘要

本发明涉及具有沟槽栅极结构和台面区段的顶部部分中的源极区域的碳化硅半导体器件。半导体器件（500）包括从前侧延伸到碳化硅部分（100）中的沟槽栅极结构（150）。源极区域（110）形成在沟槽栅极结构（150）之间的碳化硅部分（100）的台面区段（180）的顶部部分中。台面区段（180）中的选通沟道区域（120）邻接源极区域（110）。选通沟道区域（120）被配置为在半导体器件（500）的绝对最大额定值内完全耗尽。