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材料去除方法、控制系统、流体喷射抛光系统及存储介质

摘要

本发明提出应用于流体喷射抛光系统的材料去除方法、材料去除控制系统、以及具有材料去除控制系统的流体喷射抛光系统。该方法通过获取包括表面曲率的工件的表面抛光条件,确定对应于每个喷嘴的体积去除速率,并通过每个喷嘴的喷射压力与体积去除速率的对应关系确定喷嘴的喷射压力,另外进一步结合喷嘴的停留时间补偿计算的喷射压力。该方法克服传统的流体喷射抛光系统在每个喷射点上无法预测材料去除速率和控制抛光压力的缺陷,能够智能地适应UPFS的形状和强曲率变化并单独定制每个喷嘴的流体的抛光压力设定,以便大幅度增强抛光效率。

著录项

  • 公开/公告号CN110340807A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-10-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 香港理工大学;

    申请/专利号CN201810300885.5

  • 发明设计人 张志辉;王春锦;刘明宇;何丽婷;

    申请日2018-04-04

  • 分类号B24C1/08(20060101);B24C7/00(20060101);B24C9/00(20060101);

  • 代理机构72003 隆天知识产权代理有限公司;

  • 代理人李昕巍;章侃铱

  • 地址 中国香港九龙红磡理工大学陈鲍雪莹楼10楼1009室

  • 入库时间 2024-02-19 13:40:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):B24C1/08 申请日:20180404

    实质审查的生效

  • 2019-10-18

    公开

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