一种利用光子自旋霍尔效应测量纳米级薄膜厚度的方法

摘要

本发明属于光学领域，涉及一种纳米级薄膜厚度的测量方法，特别是指一种利用光子自旋霍尔效应测量纳米级薄膜厚度的方法。步骤如下：建立不同材料、各薄膜厚度下，PSHE分裂位移随入射偏振态变化的理论数据库；选取一组入射偏振，使入射光以某一初始入射偏振入射到被测薄膜表面，并获取此入射偏振下的自旋分裂位移；依次改变入射光的偏振角度，得到自旋分裂位移随入射偏振角变化的测量数据；将所得测量数据与各薄膜厚度下的理论数据进行计算和比对，确定被测薄膜的厚度。本发明利用不同入射偏振下的PSHE的自旋分裂位移与薄膜厚度的依赖关系，实现对金属和非金属材料薄膜厚度的非接触、无损的高精度测量，该测量系统结构简单、便于操作。