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饱和多孔介质大变形分析的CCPDI-IMPM方法

摘要

本发明基于广义Biot理论的u‑p控制方程,以及对流粒子域插值技术,提供了一种饱和多孔介质大变形分析的CCPDI‑IMPM方法,该方法包括饱和多孔介质大变形固结过程分析及饱和多孔介质大变形动力过程分析。本发明采用隐式时间积分策略克服了传统显式物质点法受临界时间步长限制的缺陷,特别在求解准静态问题时显著提高计算效率;并结合CPDI的网格边界光滑插值优势及隐式物质点法的Euler‑Lagrangian描述优势在处理大变形及极端大变形时相较传统FEM计算性能更加稳健。本发明还提出了一种扩展物质点罚因子法,用以更加简单准确地处理流固耦合系统的边界条件。

著录项

  • 公开/公告号CN110298105A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN201910559967.6

  • 申请日2019-06-26

  • 分类号

  • 代理机构大连理工大学专利中心;

  • 代理人温福雪

  • 地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

  • 入库时间 2024-02-19 13:26:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20190626

    实质审查的生效

  • 2019-10-01

    公开

    公开

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