公开/公告号CN110221517A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-09-10
原文格式PDF
申请/专利权人 长鑫存储技术有限公司;
申请/专利号CN201810175113.3
发明设计人 不公告发明人;
申请日2018-03-02
分类号
代理机构北京市铸成律师事务所;
代理人张臻贤
地址 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
入库时间 2024-02-19 13:26:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-08
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F1/44 申请日:20180302
实质审查的生效
2019-09-10
公开
公开
机译: 具有用于测量设置在半导体晶片上的光掩模的覆盖精度的测量标记的抗蚀剂标记和具有该测量标记的半导体晶片的制造方法
机译: 对准精度测量标记,标记缺陷的修复方法,具有该标记的光掩模,光掩模的制造方法及其曝光方法
机译: 对准精度测量标记,修复标记缺陷的方法,具有该标记的光掩模,制造该光掩模的方法及其曝光方法