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一种尖晶石结构锰镍氧化物薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种尖晶石结构锰镍氧化物薄膜的制备方法,利用电子束蒸发法制备的尖晶石结构的NiMn2O4薄膜,电子束蒸发法通过从钨丝发射的电子经过e型电子枪加速并聚焦到石墨坩埚中的金属锰和金属镍粉,按一定顺序在基板上沉积生长出多层金属薄膜结构,之后对其进行不同退火温度处理,制备出形貌均匀光滑且致密度高的薄膜材料。本发明方法相对于磁控溅射法成膜性好,所得薄膜结晶度高、稳定性好,具备商业量产化的能力,为以后制备出有良好性能的热敏薄膜提供了支持。

著录项

  • 公开/公告号CN110230029A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安邮电大学;

    申请/专利号CN201910570834.9

  • 申请日2019-06-27

  • 分类号C23C14/30(20060101);C23C14/08(20060101);

  • 代理机构61201 西安永生专利代理有限责任公司;

  • 代理人高雪霞

  • 地址 710121 陕西省西安市长安区韦郭路西安邮电大学南校区

  • 入库时间 2024-02-19 12:54:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/30 申请日:20190627

    实质审查的生效

  • 2019-09-13

    公开

    公开

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