一种三元化合物半导体薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三元化合物半导体薄膜的制备方法。本发明提供了一种三元化合物半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将铜盐溶液和锡盐溶液混合并进行第一超声，形成含有Cu元素和Sn元素的第一溶液；步骤2：将有机溶剂、乙酰丙酮和含硫化合物混合并进行第二超声，形成含有S元素的第二溶液；步骤3：将所述第一溶液和所述第二溶液混合并进行第三超声，形成Cu2SnS3前驱体溶胶；步骤4：将所述Cu2SnS3前驱体溶胶旋涂在玻璃衬底上，微波处理并硫化得到三元化合物半导体薄膜。本发明解决了现有溶液法制备的Cu2SnS3薄膜也易出现较多二次相，且颗粒的粒径较小的技术问题。