一种具有单侧掩蔽层的碳化硅MOSFET器件

摘要

本发明涉及一种具有单侧掩蔽层的碳化硅MOSFET器件，包括从下至上依次设置的漏电极、N型掺杂衬底层、N型漂移区和P型基区；所述P型基区上设置有P型源区和N型源区；所述P型基区的内部设置有槽栅结构，所述槽栅结构的底部延伸至所述N型漂移区的内部，所述槽栅结构的顶部延伸出所述P型基区的上表面；所述槽栅结构的下方设置有掩蔽层，且所述掩蔽层的上表面与所述槽栅结构的下表面接触，且所述掩蔽层仅覆盖所述槽栅结构的下表面的一部分；所述P型源区和所述N型源区上设置有源电极；所述槽栅结构上设置有栅电极。本发明的碳化硅MOSFET器件，通过在槽栅结构的底部增加掩蔽层，提高了器件的击穿电压。