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公开/公告号CN109980058A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-07-05
原文格式PDF
申请/专利权人 江苏大学;
申请/专利号CN201910151621.2
发明设计人 葛道晗;黄修康;张立强;杨宁;丁建宁;
申请日2019-02-28
分类号
代理机构
代理人
地址 212013 江苏省镇江市京口区学府路301号
入库时间 2024-02-19 12:36:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/20 申请日:20190228
实质审查的生效
2019-07-05
公开
机译: 具有光子晶体结构的发光二极管的制造方法,该光子晶体结构提高了光子效率
机译: 利用光子晶体结构来增强磁光克尔效应的方法,以及具有增强的磁光克尔效应的光子晶体,一种制造光子晶体的方法
机译: 具有光子晶体结构的发光二极管通过集中光的发射方向而获得清晰的光,并且其制造方法
机译:钨纳米掩模形成的具有气隙光子晶体结构的发光二极管的内部量子效率和光提取效率的提高
机译:具有深孔非晶光子晶体结构的GaN基发光二极管的光提取效率分析
机译:钨纳米掩模形成气隙光子晶体结构的发光二极管的内部量子效率和光提取效率的提高
机译:具有光子晶体结构的GaAs发光二极管对GaAs发光二极管外部量子效率的提高
机译:从具有非侵入性二维光子晶体的氮化镓基发光二极管提取光。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:具有由钨纳米掩模形成的气隙光子晶体结构的发光二极管的内部量子效率和光提取效率
机译:双光子相干消除对双光子合理增强四波混频产生真空紫外光的影响