公开/公告号CN110172348A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-27
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201910140377.X
申请日2019-02-21
分类号C09K11/88(20060101);H01L51/50(20060101);H01L51/54(20060101);B82Y20/00(20110101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人金拟粲
地址 韩国京畿道
入库时间 2024-02-19 12:27:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-27
公开
公开
机译: 形成金属氧化物纳米颗粒的方法和包括其中分布有金属氧化物纳米颗粒的发光层的发光器件以及用于制造发光器件的方法
机译: 掺杂方法,半导体器件,电阻层,场效应晶体管的制造方法,半导体电路器件的制造方法,导电区域的制造方法,量子线的形成方法,量子盒的形成方法,量子线晶体管,半导体集成电路的制造方法,电子波干扰装置
机译: 半导体纳米晶体颗粒,其制造方法以及包括该纳米颗粒的器件