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石墨烯复合金属离子掺杂缺陷型半导体光催化剂制备方法

摘要

石墨烯复合金属离子掺杂缺陷型半导体光催化剂制备方法,涉及光催化功能材料制备方法,本发明以三元硫化物ZnIn

著录项

  • 公开/公告号CN110124693A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 沈阳化工大学;

    申请/专利号CN201910450611.9

  • 申请日2019-05-28

  • 分类号

  • 代理机构沈阳技联专利代理有限公司;

  • 代理人张志刚

  • 地址 110142 辽宁省沈阳市经济技术开发区11号

  • 入库时间 2024-02-19 12:09:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):B01J27/04 申请日:20190528

    实质审查的生效

  • 2019-08-16

    公开

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