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基于无环约束半定规划松弛的模拟电路建模及优化方法

摘要

本发明属于集成电路技术领域,涉及一种基于无环约束半定规划松弛的模拟电路建模及优化方法,包括:步骤1,采用晶体管级仿真器得到训练样本;步骤2,建立满足无环图约束的电路性能稀疏多项式模型;步骤3,根据稀疏多项式模型将原始的模拟电路优化问题转化为半定规划松弛问题进行求解;步骤4,根据半定规划松弛结果计算得到原始电路设计参数的最优值。应用本发明的方法,能够在有限的内存资源和计算时间内,得到含有数十个设计参数的模拟电路的全局最优设计。

著录项

  • 公开/公告号CN109992810A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 复旦大学;

    申请/专利号CN201810005018.9

  • 发明设计人 陶俊;李昕;曾璇;周电;

    申请日2018-01-03

  • 分类号

  • 代理机构上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人吴桂琴

  • 地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

  • 入库时间 2024-02-19 11:46:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20180103

    实质审查的生效

  • 2019-07-09

    公开

    公开

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