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腔式黑体辐射源以及腔式黑体辐射源的制备方法

摘要

本发明涉及一种腔式黑体辐射源以及腔式黑体辐射源的制备方法。所述腔式黑体辐射源包括一黑体辐射腔,该黑体辐射腔具有一内表面,所述黑体辐射腔的内表面设置有一层黑漆,在所述黑漆的表面设置有碳纳米管层状结构,该碳纳米管层状结构包括多个碳纳米管,且该碳纳米管层状结构形成有多个微孔。所述腔式黑体辐射源的制备方法包括以下步骤:S21,提供一黑体辐射腔,该黑体辐射腔具有一内表面,在该内表面涂覆一层黑漆;S22,提供一支撑体,将所述碳纳米管层状结构缠绕在所述支撑体表面形成碳纳米管管状结构;S23,将所述碳纳米管管状结构插入所述黑体辐射腔内,使所述碳纳米管层状结构与所述黑体辐射腔的内表面紧密结合,并去除所述支撑体。

著录项

  • 公开/公告号CN110031117A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201810027802.X

  • 发明设计人 魏洋;王广;范守善;

    申请日2018-01-11

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室

  • 入库时间 2024-02-19 11:37:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01J5/52 申请日:20180111

    实质审查的生效

  • 2019-07-19

    公开

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