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基于陈绝缘体-手征介质界面的Kerr极化偏转分析方法

摘要

本发明提出一种基于陈绝缘体‑手征介质界面的Kerr极化偏转分析方法,按如下步骤进行:S1:建立陈绝缘体‑手征介质界面的模型;S2:确定电磁波在陈绝缘体‑手征介质界面的电磁特性;S3:确定边界和初始条件;S4:利用边界和初始条件求得传输矩阵;S5:利用传输矩阵法求得电磁波从普通介质入射到陈绝缘体‑手征介质界面的反射系数;S6:求此模型下的Kerr角、极化偏转率和反射光相位差。本发明所述方法,能准确地分析陈绝缘体‑手征介质界面的Kerr极化偏转特性,能够准确地反映出入射角、手征特性和CI拓扑特性对陈绝缘体‑手征介质界面的Kerr极化偏转的影响,从而控制电磁波的极化偏转。

著录项

  • 公开/公告号CN109948266A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州电子科技大学;

    申请/专利号CN201910226828.1

  • 申请日2019-03-25

  • 分类号

  • 代理机构杭州千克知识产权代理有限公司;

  • 代理人周希良

  • 地址 310018 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街1158号

  • 入库时间 2024-02-19 11:37:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20190325

    实质审查的生效

  • 2019-06-28

    公开

    公开

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