基于InGaN微米LED光电探测器阵列及其应用

摘要

基于InGaN微米LED光电探测器阵列，包括基底，以及在基底上阵列分布的多个微米LED器件，每个微米LED器件的基本结构为n‑GaN，InGaN/GaN量子阱，p‑GaN外延层结构,每个微米LED器件尺寸大小相等或者不等，为任意形状，典型的圆形微米LED的大小从1微米到500微米，微米LED的衬底为任意衬底。此外该光电探测器阵列还能够用于显示、照明和太阳能电池。本发明的光电探测器阵列能够用于高速并行可见光通信，并且通过1‑100μm的不同尺寸的光电探测器阵列证明在数Mbps到数Gbps具有较低的误码率。微米LED既能够用于高速光通信的发射器件和接收器件，又能够实现的并行传输数据，同时还可以将接收到的光信号转化为电流，作为太阳能电池使用，实现自供电。