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多重三维纳米结构的侧壁辅助制备方法

摘要

本发明提供了一种多重三维纳米结构的侧壁辅助制备方法,属于三维光电器件加工方法技术领域,其步骤包括:在基底上旋涂光敏感树脂或电子敏感树脂;通过光刻或者电子束刻蚀对应的光敏感树脂或电子敏感树脂,以构建三维模板,使得三维模板内形成预定形状的树脂微腔;在所述三维模板上通过沉积方法沉积预定材料;剥离所述三维模板表面的所述预定材料;去除所述三维模板的所述光敏感树脂或电子敏感树脂,以获得预定材料的多重三维纳米结构。本发明提供的多重三维纳米结构的侧壁辅助制备方法,能够制备复杂多重三维纳米结构,并简化其制备难度,提高制备效率。

著录项

  • 公开/公告号CN109904153A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院物理研究所;

    申请/专利号CN201711298788.9

  • 申请日2017-12-08

  • 分类号H01L27/06(20060101);H01L27/14(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11391 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人康正德;薛峰

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村南三街八号

  • 入库时间 2024-02-19 11:27:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/06 申请日:20171208

    实质审查的生效

  • 2019-06-18

    公开

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