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基于第二类外尔半金属钽铱碲的光探测器及其探测方法

摘要

本发明公开了一种基于第二类外尔半金属钽铱碲的光探测器及其探测方法。本发明采用钽铱碲纳米片作为光的探测材料,钽铱碲纳米片为零带隙材料,探测光谱范围广,并且不需要也不能外加偏压,在室温下具有灵敏的响应度;本探测器对偏振光方向敏感,可以用于偏振探测;本发明的探测器可用于红外成像、军事侦察、夜视镜等领域,在军用设备方面有着广阔的应用前景;另外需要特别指出的是,基于本材料的光探测器不需要提供偏置电压即可产生相当高的光电流响应,并且暗电流非常低,并且本发明的光探测器也不能够外加偏置电压,否则会产生本底电流,而且基于本材料的光探测器也不需要提供低温环境,这些将非常有助于探测器的微型化和经济化。

著录项

  • 公开/公告号CN109962118A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京大学;

    申请/专利号CN201711402616.1

  • 发明设计人 孙栋;赖佳伟;马骏超;卓笑;

    申请日2017-12-22

  • 分类号H01L31/032(20060101);H01L31/09(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11360 北京万象新悦知识产权代理有限公司;

  • 代理人苏爱华

  • 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号

  • 入库时间 2024-02-19 11:23:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/032 申请日:20171222

    实质审查的生效

  • 2019-07-02

    公开

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