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一种防止直面等离子体部分温度过高的核聚变第一壁

摘要

本发明公开了一种防止直面等离子体部分温度过高的核聚变第一壁,属于核聚变装置技术领域。该聚变第一壁的外壁表面覆盖一层展向导热系数高于沿厚度方向导热系数的材料层;材料层的外表面在直面等离子体的壁面上还设有一层均匀的保护层。本发明通过在核聚变第一壁的外壁和保护层之间覆盖一层展向导热系数高于沿厚度方向导热系数的材料层,可以实现第一壁直面等离子体壁面热量转移到侧面,使得第一壁的壁体温度分布均匀,进而防止第一壁因局部温度过高而熔穿,同时可减小第一壁的结构热应力。本发明的核聚变第一壁适用于核聚变反应装置。

著录项

  • 公开/公告号CN109961856A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201711420722.2

  • 申请日2017-12-25

  • 分类号G21B1/13(20060101);

  • 代理机构23211 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司;

  • 代理人邓宇

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2024-02-19 11:18:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):G21B1/13 申请日:20171225

    实质审查的生效

  • 2019-07-02

    公开

    公开

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