一种Si-TiO2光生阴极保护涂层的制备方法

摘要

本发明涉及阴极保护的技术领域，尤其涉及一种Si‑TiO2光生阴极保护涂层的制备方法。通过Si改性TiO2，304SS上制备了Si‑TiO2薄膜，确定了Si‑TiO2薄膜的最佳制备条件，Si4+与Ti4+具有相似的离子半径，它可以进入到二氧化钛的晶格中，造成晶格缺陷，抑制电子‑空穴的复合，能在一定程度上提高二氧化钛的光吸收强度，有效提高了涂层的阴极保护性能。