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基于单槽模型的表贴式永磁电机电枢磁场重构方法

摘要

本发明涉及一种基于单槽模型的表贴式永磁电机电枢磁场重构方法,包括下列步骤:第一步.建立永磁电机单槽模型;第二步.单层绕组磁场重构;第三步.双层绕组磁场重构。本发明将永磁电机总的电枢反应磁场表示为单槽通电时的气隙磁场,对单个槽磁场进行子域法求解,降低矩阵的维数,降低永磁电机磁场分析的复杂性并能够重构出与有限元计算相吻合的电枢反应磁场。

著录项

  • 公开/公告号CN109768685A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201910082678.1

  • 发明设计人 李斌;靳新悦;李桂丹;

    申请日2019-01-28

  • 分类号H02K21/02(20060101);

  • 代理机构12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人程毓英

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2024-02-19 10:15:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02K21/02 申请日:20190128

    实质审查的生效

  • 2019-05-17

    公开

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