首页> 中国专利> 一种选择最佳NAND Flash读操作电平的方法

一种选择最佳NAND Flash读操作电平的方法

摘要

本发明公开一种选择最佳NAND Flash读操作电平的方法,将NAND Flash读操作特性测试与机器学习的线性回归算法相结合,挖掘出最佳NAND Flash存储器读操作电平与NAND Flash存储器数据稳定性影响因素(PE、Retention Time、Read Disturb)之间的线性关系。产品在读取NAND Flash存储器之前通过该线性关系找到当前对应的最佳电平,从而降低硬件纠错失败的概率,避免产品的读操作性能的下降。

著录项

  • 公开/公告号CN109741783A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东华芯半导体有限公司;

    申请/专利号CN201811551660.3

  • 发明设计人 王彬;李铁;

    申请日2018-12-19

  • 分类号G11C29/50(20060101);

  • 代理机构37218 济南泉城专利商标事务所;

  • 代理人赵玉凤

  • 地址 250101 山东省济南市高新区新泺大街1768号齐鲁软件园大厦B座二层

  • 入库时间 2024-02-19 10:15:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/50 申请日:20181219

    实质审查的生效

  • 2019-05-10

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号