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一种磁振子晶体磁传感器及其制备方法

摘要

一种磁振子晶体磁传感器及其制备方法,属于磁传感技术领域。所述磁传感器包括钆镓石榴石衬底,位于钆镓石榴石衬底之上的钇铁石榴石薄膜,位于YIG上的静磁表面波激发天线和接收天线,位于YIG上的氧化锌薄膜以及位于氧化锌薄膜之上的带有反射栅的等距叉指电极。本发明提供的一种磁振子晶体磁传感器,是利用外界磁场发生微小变化与磁振子晶体中传播的SMSW的吸收峰发生偏移的线性关系来实现磁探测的。本发明方法得到的SAW频率较高,可有效提高磁振子带隙结构的温度稳定性,进而提高磁传感器的温度稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN109811325A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201910241090.6

  • 申请日2019-03-28

  • 分类号C23C14/35(20060101);C23C14/18(20060101);C23C14/02(20060101);C23C14/04(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/58(20060101);G01R33/00(20060101);G01R33/02(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人吴姗霖

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2024-02-19 09:48:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20190328

    实质审查的生效

  • 2019-05-28

    公开

    公开

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