首页> 中国专利> 一种同面阵列电容传感器的敏感场分析方法

一种同面阵列电容传感器的敏感场分析方法

摘要

本发明公开了一种同面阵列电容传感器的敏感场分析方法,包括:对电容传感器以及被测物体按照传感器的实际尺寸建立三维模型;根据电磁场理论,建立两个半径不同的球体,将整个三维模型分为四部分;对被测物体进行单元类型定义,对电容传感器进行单元划分,根据单元类型采用映射划分方式对被测物体进行单元划分,完成同面阵列电容传感器以及被测物体敏感场建模,计算得到敏感场的灵敏度矩阵,根据灵敏度矩阵进行图像重建;获取重建质量、稳定性。能够根据对同面阵列电容成像系统的近场和远场进行三维建模来求解灵敏度矩阵,在深度方向上对敏感场的分层划分和在水平方向上对敏感场的分单元划分,能够获取质量好的重建图像,进行图像检测和图像分析。

著录项

  • 公开/公告号CN109738494A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 燕山大学;

    申请/专利号CN201910086659.6

  • 申请日2019-01-29

  • 分类号

  • 代理机构北京君泊知识产权代理有限公司;

  • 代理人王程远

  • 地址 066004 河北省秦皇岛市河北大街西段438号

  • 入库时间 2024-02-19 09:48:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-26

    著录事项变更 IPC(主分类):G01N27/24 变更前: 变更后: 申请日:20190129

    著录事项变更

  • 2019-06-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/24 申请日:20190129

    实质审查的生效

  • 2019-05-10

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号