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提高光片上缺陷到图形层定位精确度的方法

摘要

本发明公开了一种提高光片上缺陷到图形层定位精确度的方法,根据电子束扫描观察缺陷结果给硅片添加最小的重复的完整单元信息,再根据最小的重复的完整单元原始的完整单元原点的设置,重新给每个缺陷一个坐标,以此来提高到后续有图形层硅片晶圆的定位。本发明能自动添加最小的重复的完整单元信息,提高裸晶圆到后面有图形层中缺陷定位的精确度。

著录项

  • 公开/公告号CN109659248A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN201811566633.3

  • 发明设计人 沈萍;郭浩;倪祺梁;

    申请日2018-12-19

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人戴广志

  • 地址 201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室

  • 入库时间 2024-02-19 09:44:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20181219

    实质审查的生效

  • 2019-04-19

    公开

    公开

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