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一种对接耦合型探测器和对接耦合型探测器的制作方法

摘要

本发明公开了一种对接耦合型探测器和对接耦合型探测器的制作方法。该对接耦合型探测器包括:衬底,以及沿入射光传播方向在衬底上依次同层设置有无源波导区,对接耦合区和吸收区;对接耦合区嵌入吸收区,与吸收区耦合,对接耦合区沿入射光传播方向上的截面积逐渐变小,通过实施本发明的对接耦合型探测器,通过对接耦合区改变现有技术中无源波导区和吸收区对接界面处光的模式分布,使光通过对接耦合区均匀耦合入吸收区,从而解决了对接耦合型探测器过早饱和的难题,此方法能够在保持对接耦合型探测器高耦合效率、高带宽的前提下,明显提高对接耦合型探测器的饱和输出功率。

著录项

  • 公开/公告号CN109585610A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201811645478.4

  • 发明设计人 孙思维;

    申请日2018-12-29

  • 分类号

  • 代理机构北京三聚阳光知识产权代理有限公司;

  • 代理人李博洋

  • 地址 214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号传感网国际创新园D1栋

  • 入库时间 2024-02-19 09:40:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20181229

    实质审查的生效

  • 2019-04-05

    公开

    公开

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