公开/公告号CN109616557A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-12
原文格式PDF
申请/专利权人 江西兆驰半导体有限公司;
申请/专利号CN201811391765.7
发明设计人 顾伟;
申请日2018-11-21
分类号H01L33/00(20100101);H01L33/32(20100101);C23C16/44(20060101);C23C16/34(20060101);
代理机构
代理人
地址 330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区高新二路18号创业大厦503、515室
入库时间 2024-02-19 09:26:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-12
公开
公开
机译: 氮化镓基半导体发光器件,制造氮化镓基半导体发光器件的方法,氮化镓基发光二极管,外延晶片以及制造氮化镓基发光二极管的方法
机译: 氮化镓基半导体发光器件及其制造方法,氮化镓基发光二极管,外延晶片以及氮化镓发光二极管的制造方法
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