一种低结温高耐压的GaN异质结场效应晶体管

摘要

本发明设计功率半导体技术，具体的说是一种低结温高耐压的GaN异质结场效应晶体管。本发明的GaN异质结场效应晶体管，主要为通过在势垒层插入AlN区域来降低沟道峰值电场，进而达到增大耐压和减少散热的目的。另外，本发明采用导热特性良好的AlN作为器件的钝化层，不仅有助于抑制电流崩塌，还起到了加快散热的作用。本发明的优异效果为，提高了器件的反向耐压，改善了器件的输出特性，并降低了器件的沟道温度，从而抑制了电流崩塌和自热效应带来的危害。本发明尤其适用于具有高耐压能力和低沟道温度的GaN异质结场效应晶体管。