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公开/公告号CN109628996A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-16
原文格式PDF
申请/专利权人 台州学院;
申请/专利号CN201910072267.4
发明设计人 方一航;张平;冯尚申;吴建波;王天乐;薛双喜;刘壕东;霍颜秋;詹兴宇;赵子栋;
申请日2019-01-25
分类号
代理机构杭州永航联科专利代理有限公司;
代理人罗伟清
地址 318000 浙江省台州市市府大道1139号
入库时间 2024-02-19 09:00:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-10
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/10 申请日:20190125
实质审查的生效
2019-04-16
公开
机译: 公开了一种高熔点金属硅化物靶,其制备方法,高熔点金属硅化物薄膜以及半导体器件。高熔点金属硅化物靶是高熔点金属硅化物薄膜和高熔点金属硅化物薄膜。
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机译:通过溶液技术制备的氧化铈的物理性质和电导率依赖于烧结陶瓷的氧分压,制备了具有热量的氧化铈的物理性质的制备方法,制备方法和制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法,制备方法
机译:TiB2渗透阻力的实验研究(实验211 Undersoekning av penetrationsmotstandet TiB2)