基于二噻吩并3,2-b:2`,3`-d吡咯的免掺杂空穴传输材料及合成方法

摘要

本发明公开了一种基于二噻吩并[3,2‑b:2`,3`‑d]吡咯的免掺杂空穴传输材料及合成方法。本发明方法合成步骤简单，整体制备成本低，可实现材料的大量合成；所发明的材料具有良好的溶解性和成膜性；紫外‑可见吸收光谱表明该空穴传输材料的光学带隙适中(2.2~2.3 eV),在550 nm左右显示起始吸峰；循环伏安曲线图表明该类空穴传输材料拥有合适的HOMO能级(‑5.0 eV左右)，本发明的免掺杂DTP空穴传输材料在有机‑无机铅卤钙钛矿太阳能电池中可获取高达>19%的光电转化效率，展现出了巨大的应用前景。