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一种宽温高磁导率低损耗MnZn功率铁氧体材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种宽温高磁导率低损耗MnZn功率铁氧体材料的制备方法,包括一次配料、一次球磨、预烧结、粉碎、二次配料、二次球磨、成型、烧结等步骤。本发明添加的ZrO2、Nb2O5、Pr2(CO3)3、Nd2O3、Sm2O3,具有细化晶粒的作用,促进晶粒细化均匀,阻止晶粒长大,从而形成晶粒细小均匀的显微结构,提高材料的起始磁导率和电阻率,降低材料的功率损耗;添加的V2O5、In2O3、Li2CO3,不仅可以提高材料的烧结密度,降低晶界和晶粒内气孔率,从而提高材料的起始磁导率,还可以有效抑制晶粒生长和吞并,促进晶粒细化和均匀,从而增加晶界,且晶界明显,提高材料的电阻率,降低材料的损耗;添加的CaCO3、NaHCO3、TeO2,可以在晶界形成高阻层,通过提高晶界电阻来改善损耗。

著录项

  • 公开/公告号CN109704745A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三桥惠(佛山)新材料有限公司;

    申请/专利号CN201910125083.X

  • 申请日2019-02-20

  • 分类号C04B35/26(20060101);C04B35/622(20060101);H01F1/34(20060101);

  • 代理机构11350 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人肖平安

  • 地址 528200 广东省佛山市南海区桂城街道南三路11号广东珠江开关有限公司内之4号楼102B

  • 入库时间 2024-02-19 08:55:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/26 申请日:20190220

    实质审查的生效

  • 2019-05-03

    公开

    公开

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